制造ITO靶材是一項技術(shù)密集型的工作,涉及從原料配比到成型加工的多個環(huán)節(jié)。高質(zhì)量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性,而這些要求背后隱藏著復雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。
隨著高科技產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,稀有金屬銦的需求日益增長。銦靶材與ITO靶材作為關鍵材料,在電子、光電及半導體等領域發(fā)揮著重要作用。本文旨在探討銦靶材與ITO靶材的區(qū)別,以及它們在回收技術(shù)、環(huán)保與經(jīng)濟效益方面的差異。
銦回收面臨的主要挑戰(zhàn)包括銦在電子設備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統(tǒng)的回收方法難以有效提取,需要采用濕法冶金或火法冶金等先進技術(shù)。同時,回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理,以減少污染物對回收過程的影響。
閉環(huán)之困:損耗與機遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過程中利用率通常僅30%左右,大量含銦廢料(廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料)隨之產(chǎn)生。過去,這些價值的廢料往往被簡單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系,成為破解資源約束的黃金路徑。