從化學(xué)角度看，ITO是一種復(fù)合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。通過(guò)控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學(xué)透明的同時(shí)，具備接近金屬的導(dǎo)電能力。這種“透明卻導(dǎo)電”的特性，使得ITO成為制造透明導(dǎo)電膜的理想選擇。
從物理性質(zhì)上看，ITO靶材具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：
高透明度：在可見(jiàn)光范圍內(nèi)（波長(zhǎng)400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達(dá)90%以上，幾乎與普通玻璃相當(dāng)。
優(yōu)異導(dǎo)電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級(jí)，遠(yuǎn)低于大多數(shù)透明材料。
化學(xué)穩(wěn)定性：在常溫下，ITO對(duì)水、氧氣等環(huán)境因素表現(xiàn)出良好的抗腐蝕能力。
機(jī)械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應(yīng)對(duì)日常使用中的輕微刮擦。
這些特性讓ITO靶材在實(shí)際應(yīng)用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學(xué)和電學(xué)性能的場(chǎng)景中。
盡管制備方法看似成熟，但實(shí)際操作中仍有不少難題需要攻克：
成分配比的性：氧化錫的摻雜量通常控制在5-10%之間，過(guò)高會(huì)導(dǎo)致透明度下降，過(guò)低則影響導(dǎo)電性。如何在微觀尺度上實(shí)現(xiàn)均勻混合，是一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)。
靶材密度：低密度靶材在濺射時(shí)容易產(chǎn)生顆粒飛濺，導(dǎo)致薄膜出現(xiàn)缺陷。提高密度需要優(yōu)化壓制和燒結(jié)條件，但這往往伴隨著成本的上升。
微觀結(jié)構(gòu)的控制：靶材內(nèi)部的晶粒大小和分布會(huì)影響濺射的穩(wěn)定性。晶粒過(guò)大可能導(dǎo)致濺射不均，而過(guò)小則可能降低靶材的機(jī)械強(qiáng)度。
熱應(yīng)力管理：在高溫?zé)Y(jié)過(guò)程中，靶材可能因熱膨脹不均而產(chǎn)生裂紋，影響成品率。
這些難點(diǎn)要求制造商在設(shè)備、工藝和質(zhì)量控制上投入大量精力。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽(yáng)能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。
