從化學角度看，ITO是一種復合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強了材料的導電性。通過控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學透明的同時，具備接近金屬的導電能力。這種“透明卻導電”的特性，使得ITO成為制造透明導電膜的理想選擇。
冷等靜壓法
工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。
優(yōu)點：工藝相對簡單，生產(chǎn)成本較低，適合小批量或定制化生產(chǎn)。
缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。
適用場景：中低端電子產(chǎn)品或實驗室研發(fā)用靶材。
這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權衡成本與性能。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結構穩(wěn)定，電導率高，確保了設備的運行。
氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。
