ITO靶材，全稱氧化銦錫靶材，是一種專門用于磁控濺射鍍膜的材料。氧化銦錫（簡稱ITO）是一種n型半導體材料，通常由90%的氧化銦（In?O?）和10%的氧化錫（SnO?）組成。這種材料以其的透明度和導電性，成為現(xiàn)代電子工業(yè)中不可或缺的組成部分。無論是智能手機的觸摸屏、平板電腦的顯示面板，還是太陽能電池的透明電極，ITO靶材都以其獨特的功能支撐著這些設備的運行。
制造ITO靶材是一項技術密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個環(huán)節(jié)。高質量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性，而這些要求背后隱藏著復雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。
冷等靜壓法
工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。
優(yōu)點：工藝相對簡單，生產成本較低，適合小批量或定制化生產。
缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。
適用場景：中低端電子產品或實驗室研發(fā)用靶材。
這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權衡成本與性能。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結構穩(wěn)定，電導率高，確保了設備的運行。
