制備完成后，ITO靶材在實際應用中還會遇到一些問題：
濺射不均勻：如果靶材內部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過程中可能出現局部過熱，導致薄膜厚度不一致。
靶材破裂：在高功率濺射時，靶材承受的熱應力可能超出其極限，造成破裂，進而影響生產線的連續(xù)性。
資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲量有限，價格波動較大。這不僅推高了成本，也促使業(yè)界尋找替代方案。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結構穩(wěn)定，電導率高，確保了設備的運行。
ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導電薄膜材料制備的復合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質量比例為90:10，這一比例在實際應用中表現出較為理想的光電特性，使其在透明導電薄膜中廣泛應用。
透明導電薄膜在現代光電行業(yè)中具有至關重要的地位，是觸摸屏、顯示器和太陽能電池等設備中的核心組件。ITO靶材憑借其出色的透明導電特性成為制備透明導電薄膜的材料。
