光學(xué)領(lǐng)域：用于制造反射率與銀鏡一樣高但不會(huì)褪色的鏡，還可用于制造其他光學(xué)器件，如濾光片、光通信器件等。
其他領(lǐng)域：可用于制造低熔點(diǎn)合金，如 24％銦和 76％鎵的合金在室溫下為液態(tài)，此外，還可用于制造整流器、熱敏電阻和光電導(dǎo)體等電氣組件。
集成電路（IC）制造
用途：作為金屬互連層或接觸電極材料，用于芯片內(nèi)部的導(dǎo)電線(xiàn)路、晶體管電極等關(guān)鍵部位。
優(yōu)勢(shì)：銦的低熔點(diǎn)和高延展性使其易于加工成極薄的薄膜，滿(mǎn)足納米級(jí)制程對(duì)材料精度的要求。
科研與前沿技術(shù)
1. 量子計(jì)算與超導(dǎo)器件
探索應(yīng)用：銦薄膜作為超導(dǎo)材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制備，利用其超導(dǎo)電性實(shí)現(xiàn)低損耗量子信號(hào)傳輸。
2. 柔性電子與可穿戴設(shè)備
技術(shù)方向：在柔性電路板（FPC）、電子皮膚中作為可拉伸導(dǎo)電薄膜，利用銦的高延展性滿(mǎn)足器件形變需求。
濺射時(shí)間與沉積厚度
厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。
靶材利用率：避免過(guò)度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。
